[发明专利]发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610453646.4 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN106784220A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 胡威威;张书明;周坤;池田昌夫;刘建平;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，包括氮化镓衬底，所述氮化镓衬底的顶部形成有外延结构，所述外延结构连接有第一电极和第二电极，所述氮化镓衬底的底部形成有凸出的微结构层。本发明提供的发光二极管及其制作方法，对氮化镓衬底的底部进行腐蚀形成微结构层，然后在具有微结构层的氮化镓衬底的底部沉积反射膜，使得光线在发光二极管内部的传输路径发生改变，避免光线在发光二极管内部来回循环反射，从而减小光线在发光二极管内部的损耗，增大了光线从发光二极管内部折射出来的概率、提升了发光二极管的外量子效率；同时，采用氮化镓作为衬底，降低了氮化镓基发光二极管的晶格失配度以及位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括氮化镓衬底，所述氮化镓衬底的顶部形成有外延结构，所述外延结构连接有第一电极和第二电极，其特征在于，所述氮化镓衬底的底部形成有凸出的微结构层。
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