[发明专利]通过金属氧化物检测气体的传感器的制造方法及传感器

摘要

本发明提供的一种通过金属氧化物检测气体的传感器的制造方法及传感器，包括如下步骤：包括如下步骤：在硅片衬底上用等离子体增强化学气相沉积法淀积第一氧化硅薄膜层；对第一金属薄膜层进行干法刻蚀，在第一金属薄膜层上刻出加热电阻层图形；在第二金属薄膜层上面用物理气相沉积法淀积第三金属薄膜层，并对第三金属薄膜层进行光刻和干法刻蚀；利用干法或湿法刻蚀位于第二接触孔下方与第二接触孔对应的第二氧化硅薄膜层；在光刻胶上及第二接触孔内用物理气相沉积法淀积金属氧化物薄膜层。本发明的有益效果如下：可以精确检测环境气体的成分和浓度。因此可以降低制造成本，减少产品的体积和功耗，增加可靠性和一致性，提高产品的灵敏度和精度。

主权项

1.一种通过金属氧化物检测气体的传感器的制造方法，包括如下步骤：步骤1，在硅片衬底上用等离子体增强化学气相沉积法淀积第一氧化硅薄膜层；其特征在于，还包括：步骤2，在第一氧化硅薄膜层上利用物理气相沉积法淀积第一金属薄膜层；步骤3，对第一金属薄膜层进行干法刻蚀，在第一金属薄膜层上刻出加热电阻层图形；步骤4，利用等离子体增强化学气相沉积法在第一金属薄膜层上淀积氮化硅薄膜层，并在氮化硅薄膜层上开出贯穿氮化硅薄膜的第一接触孔；步骤5，在氮化硅薄膜层上用物理气相沉积法淀积第二金属薄膜层，在第一接触孔内填充接触体，接触体连接第一金属薄膜层与第二金属薄膜层，并对第二金属薄膜层进行光刻和干法刻蚀；步骤6，在第二金属薄膜层上面用物理气相沉积法淀积第三金属薄膜层，并对第三金属薄膜层进行光刻和干法刻蚀；步骤7，用等离子体增强化学气相沉积法在第三金属薄膜层上淀积第二氧化硅薄膜层；步骤8，在第二氧化硅薄膜层上涂布光刻胶，并在光刻胶上开出贯穿光刻胶的第二接触孔；步骤9，利用干法或湿法刻蚀位于第二接触孔下方与第二接触孔对应的第二氧化硅薄膜层；步骤10，在光刻胶上及第二接触孔内用物理气相沉积法淀积金属氧化物薄膜层；步骤11，去除光刻胶；步骤12，对整个器件进行真空烘烤；步骤13，对第二氧化硅薄膜层进行光刻，在二氧化硅薄膜层上开出贯穿第二氧化硅薄膜层的第三接触孔；步骤14，连接线的一端伸入第三接触孔内，连接线的一端与第三金属薄膜层连接。