[发明专利]一种聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610454177.8 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN106009607A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 孔祥建;刘孝波;危仁波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08L71/10 | 分类号： | C08L71/10;C08K9/04;C08K9/06;C08K3/22;C08J5/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜及其制备方法。聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜中纳米三氧化二铝含量为1～40wt％，制备方法为将纳米三氧化二铝由表面改性剂改性，得到表面改性纳米三氧化二铝；在溶液状态下，将聚芳醚腈与表面改性纳米三氧化二铝混合；混合后通过添加或蒸除溶剂的方法调节混合液浓度得到聚芳醚腈/纳米三氧化二铝流延液；将流延液过滤后在干净平整表面均匀流延成膜；挥发掉溶剂后获得专利所述聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜。所得聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜具有良好的导热、介电性能能，复合薄膜制备工艺简单、可靠，适于工业化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚芳醚腈 纳米 氧化 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜，其特征在于薄膜中纳米三氧化二铝含量为1～40wt％。
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