[发明专利]一种高压发光二极管芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种高压发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领领域。所述制备方法包括：在基板上形成N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层、以及透明导电层，并开设延伸至N型半导体层的凹槽；开设从N型半导体层延伸至基板的隔离槽，在部分高压LED芯片之间开设从N型半导体层延伸至基板的切割道；在隔离槽内铺设绝缘层；在绝缘层上形成金属层，并设置N电极和P电极；对电绝缘的高压LED芯片进行测试；当测试结果符合要求时，减薄基板，采用激光在所有高压LED芯片之间开设从N型半导体层延伸至基板的切割道，并沿切割道切割基板，得到相互独立的高压LED芯片。本发明可以满足小尺寸的高压LED芯片的生产要求。

主权项

一种高压发光二极管LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在基板上依次生长形成N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层、以及透明导电层，并开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；在所有高压LED芯片的各个子芯片之间开设从所述N型半导体层延伸至所述基板的隔离槽，在部分所述高压LED芯片之间开设从所述N型半导体层延伸至所述基板的切割道，形成部分电绝缘的所述高压LED芯片；在所述隔离槽内铺设绝缘层；在所述绝缘层上形成连接同一个所述高压LED芯片相邻的所述子芯片的金属层，并在所述N型半导体层上设置N电极，在所述P型半导体层上设置P电极；对电绝缘的所述高压LED芯片进行测试，得到测试结果；当所述测试结果符合要求时，减薄所述基板，采用激光在所有所述高压LED芯片之间开设从所述N型半导体层延伸至所述基板的切割道，并沿所述切割道切割所述基板，得到相互独立的所述高压LED芯片。