[发明专利]一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法有效
申请号: | 201610455194.3 | 申请日: | 2016-06-20 |
公开(公告)号: | CN106082327B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 刘毅;闫东明;侯佩佩;张洛栋;吕达 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;C04B111/26;C04B103/69 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 张法高,傅朝栋 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化合物、过渡金属(银)、二元固溶体(As2S3)和硫单质为原料,聚乙二醇400和乙二胺为溶剂,在140‑160℃环境中反应6‑9天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为Cs2Ag2As2S5。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达60%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、医疗、电池、催化等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 混凝土 防腐 硫化物 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料,其特征在于,其化学组成式为:Cs2Ag2As2S5,属于三斜晶系,P‑1空间群,晶胞参数α=63.28(3)°,β=82.11(3)°,γ=87.78(3)°,Z=2,Dc=4.293g/cm3,能隙为2.45eV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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