[发明专利]具有集成式磁场传感器的功率封装体有效

专利信息
申请号: 201610455472.5 申请日: 2016-06-22
公开(公告)号: CN106298757B 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: G·A·巴布拉诺;L·陈;M·丁克尔;F·约斯特;S·米斯林格尔;J·厄特延;T·萨尔米宁 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 曹雯
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 提供了一种具有集成式磁场传感器的功率封装体。功率半导体封装体包括:基板,该基板具有多条金属引线;功率半导体管芯,该功率半导体管芯附接到引线中的第一引线;以及磁场传感器,该磁场传感器被集成在与功率半导体管芯相同的功率半导体封装体中,并且被设置为紧密邻近于功率半导体管芯的电流通路。磁场传感器操作为响应于由在电流通路中流动的电流所产生的磁场而生成信号,信号的幅度与在电流通路中流动的电流的量成比例。
搜索关键词: 具有 集成 磁场 传感器 功率 封装
【主权项】:
1.一种功率半导体封装体,包括:基板,所述基板具有多条金属引线;功率半导体管芯,所述功率半导体管芯附接到所述引线中的第一引线;包括在功率半导体封装体中的金属夹件,所述金属夹件将所述引线中的一条或多条引线电连接到所述功率半导体管芯或电连接到所述引线中的另一条引线;以及磁场传感器,所述磁场传感器被设置在所述金属夹件的上方或下方,且与所述金属夹电隔离,而且被设置成紧邻所述功率半导体管芯的电流通路,所述磁场传感器用于响应于由在所述电流通路中流动的电流所产生的磁场而生成信号,所述信号的幅度与在所述电流通路中流动的电流的量成比例。
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