[发明专利]TFT基板的制造方法有效
| 申请号： | 201610455613.3 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN105914183B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 卢马才;赵书力 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT基板的制造方法。该TFT基板的制造方法包括：步骤10、在基板上利用第一道光罩形成TFT栅极图案；步骤20、在该基板上利用第二道光罩形成有源层图案、源漏极金属电极图案；步骤30、在该基板上沉积钝化层，以及涂布光阻，利用第三道光罩工艺定义像素电极图案，进行刻蚀以及光阻制绒，然后沉积像素电极；步骤40、通过刻蚀处理或直接光阻剥离，形成像素电极图案。本发明TFT基板的制造方法提供了PR上沉积ITO有效剥离方法用于3Mask TFT制程，将会大大提高制程效率及降低难度，有效提升3Mask TFT制程能力。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤10、在基板上利用第一道光罩工艺形成TFT栅极图案；步骤20、在该基板上利用第二道光罩工艺形成有源层图案、源漏极金属电极图案；步骤30、在该基板上沉积钝化层，以及涂布光阻，利用第三道光罩工艺曝光、显影以定义像素电极图案，通过刻蚀露出栅极图案和源漏极金属电极图案，并通过刻蚀在所述光阻上形成绒面，然后沉积像素电极；步骤40、通过刻蚀处理或直接光阻剥离，形成像素电极图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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