[发明专利]一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法有效
| 申请号： | 201610456572.X | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN106410006B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 卓祥景;陈凯轩;姜伟;林志伟;方天足;张永;刘碧霞;李艳 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法，涉及氮化物外延芯片技术领域，本发明将紫外发光层设置在N‑GaN电子供给层和P型AlGaN电子阻挡层之间，通过电致发光产生紫外光；本发明还将可见光发光层置于N‑GaN电子供给层和U‑GaN层之间，利用电致发光产生的紫外光激发可见光发光层，使可见光发光层通过光致发光产生可见光。可见光发光层通过紫外光光致发光辐射可见光，虽吸收了部分紫外光，一定程度上降低了紫外光的外量子效率，但该发光层不需要电注入，避免影响紫外光的内量子效率，减少对器件电能的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 可见光 指示 装置 紫外 发光二极管 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管，包括依次设置在P型电极同一侧的导电基板、键合层、金属反射层、P型GaN空穴供给层、P型AlGaN电子阻挡层、AlInGaN/AlInGaN多量子阱紫外光发光层、N‑GaN电子供给层，在N‑GaN电子供给层上设置的N型电极；其特征在于：在N型电极区域以外的N‑GaN电子供给层上设置图形化的N‑GaN电子供给层，在图形化的N‑GaN电子供给层上依次设置InGaN/GaN多量子阱可见光发光层和U‑GaN层；紫外光发光层通过电致发光产生紫外光，紫外光激发可见光发光层，使可见光发光层通过光致发光产生可见光。
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