[发明专利]RF放大器在审
| 申请号： | 201610457770.8 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN106357224A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 吉安·霍赫扎德 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 范心田 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种RF放大器(200)包括输入晶体管(202)，所述输入晶体管(202)具有输入晶体管基极端子、输入晶体管集极端子和输入晶体管发射极端子；简并组件(206)，所述简并组件(206)连接在所述输入晶体管发射极端子与接地端子之间；以及保护晶体管(204)，所述保护晶体管(204)具有保护晶体管基极端子、保护晶体管集极端子和保护晶体管发射极端子。所述输入晶体管基极端子连接到所述保护晶体管发射极端子，且所述保护晶体管基极端子连接到所述输入晶体管发射极。 | ||
| 搜索关键词： | rf 放大器 | ||
【主权项】：
一种RF放大器，其特征在于，包括：输入晶体管，所述输入晶体管具有输入晶体管基极端子、输入晶体管集电极端子和输入晶体管发射极端子；简并组件，所述简并组件连接在所述输入晶体管发射极端子与接地端子之间；以及保护晶体管，所述保护晶体管具有保护晶体管基极端子、保护晶体管集电极端子和保护晶体管发射极端子；其中所述输入晶体管基极端子连接到所述保护晶体管发射极端子，且所述保护晶体管基极端子连接到所述输入晶体管发射极。
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