[发明专利]用于混凝土杀菌防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种用于混凝土杀菌防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法。以碱金属氢氧化合物、过渡金属(银)、二元固溶体(As₂S₃)和硫单质为原料，聚乙二醇和1,2‑丙二胺为溶剂，在140‑160℃环境中反应6‑9天，得到四元硫化物半导体材料，化学组成式为：Cs₃AgAs₄S₈。本发明具有合成产率高，操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达70％以上，化学纯度高，可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。

主权项

1.一种用于混凝土杀菌防腐的四元硫化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述的四元硫化物半导体材料化学组成式为Cs₃AgAs₄S₈，属于单斜晶系，C12/c1空间群，晶胞参数a=27.760(6)Å，b=6.9800(14)Å，c=19.680(4)Å，α=90°，β=109.85(3)°，γ=90°，V= 3586.7(12)ų ，Z=8，Dc=3.936g/cm³，能隙为 2.22 eV；所述制备方法如下：称取初始原料CsOH•H₂O 1.0 mmol、 Ag 1.0 mmol、As₂S₃ 0.5 mmol和 S 2.0 mmol放入水热釜中，再加入1,2‑丙二胺0.5ml和聚乙二醇2.0 mL，将水热釜置于160 ℃下反应8天；反应结束后，打开水热釜，取出产物，分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤2次，得到四元硫化物半导体材料Cs₃AgAs₄S₈。