[发明专利]一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法

摘要

本发明公开了一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法，该方法主要是利用传统步进光刻机，采用涂胶曝光显影步骤，形成图形，并借助PECVD薄膜淀积技术和ICP刻蚀技术，将深亚微米侧壁图形保留，并进行转移，形成栅脚；而后采用传统光刻工艺方法，形成栅帽，制备出深亚微米级的T型栅。通过本发明方法可以有效克服电子束光刻产能低，而步进光刻机传统制备工艺线宽受限，不能加工深亚微米图形的不足与缺点，同时兼顾栅长及产能。

主权项

1.一种利用光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法，其特征在于：主要是利用步进光刻机，采用涂胶曝光显影步骤，形成图形，并借助PECVD薄膜淀积技术和ICP刻蚀技术，将深亚微米图形进行转移，形成栅脚，而后采用光刻工艺方法，形成栅帽，制备出深亚微米级的T型栅；其具体包括以下步骤：1)将待制备T型栅的材料表面进行有机清洗及氧化物清洗，以提高金属与表面的粘合力；2)将清洗完毕的基片移至电子束蒸发设备，采用电子束蒸发的方式进行栅脚金属的蒸镀；3)采用步进光刻机进行涂胶曝光显影步骤，光刻出胶图形；4)在带胶图形的基片上进行介质薄膜的PECVD淀积；5)利用ICP刻蚀技术进行多余薄膜的刻蚀，刻蚀至光刻胶漏出，且基底底面的介质膜刻蚀干净时停止；6)去除光刻胶，留下侧壁的介质膜；7)利用介质膜做掩膜，将非介质膜下的金属去除，形成栅脚；8)去除介质膜；9)采用步进光刻机进行涂胶曝光步骤，控制胶的去除至漏出栅脚，但保留部分基片上的光刻胶；10)进行栅帽金属的蒸镀；11)有机溶液去除光刻胶，形成深亚微米级的T型栅。