[发明专利]顶栅型薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，通过在氧化物半导体层上形成还原金属层，并利用激光退火工艺将覆盖有还原金属层的氧化物半导体层还原成导体，形成源极接触区与漏极接触区，利用被还原成导体的源极接触区与漏极接触区与所述源极和漏极接触，能够大大降低源极和漏极的接触电阻，提升顶栅型薄膜晶体管的性能，制作方法简单。

主权项

1.一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上形成缓冲层(2)，在所述缓冲层(2)上形成氧化物半导体层(3)；步骤2、在所述氧化物半导体层(3)上形成自下而上层叠设置的栅极绝缘层(4)和栅极(5)，所述栅极绝缘层(4)和栅极(5)覆盖所述氧化物半导体层(3)的中间区域，暴露出所述氧化物半导体层(3)的两端；步骤3、在所述氧化物半导体层(3)暴露出的两端上形成还原金属层(6)；步骤4、对覆盖有还原金属层(6)的氧化物半导体层(3)进行镭射退火，将覆盖有还原金属层(6)的氧化物半导体层(3)还原成导体，形成位于所述氧化物半导体层(3)两端的源极接触区(7)和漏极接触区(8)；步骤5、在所述栅极(5)、源极接触区(7)和漏极接触区(8)的上方继续形成层间绝缘层(9)和贯穿所述层间绝缘层(9)的第一过孔(91)和第二过孔(92)，所述第一过孔(91)和第二过孔(92)分别暴露出源极接触区(7)和漏极接触区(8)；步骤6、在所述层间绝缘层(9)上形成源极(10)与漏极(11)，所述源极(10)与漏极(11)分别通过所述第一过孔(91)和第二过孔(92)与所述源极接触区(7)和漏极接触区(8)接触；在所述步骤3中，还包括在所述栅极(5)和所述缓冲层(2)上形成还原金属层(6)，所述栅极(5)上的还原金属层(6)与所述氧化物半导体层(3)上的还原金属层(6)断开；且在所述步骤5中，所述层间绝缘层(9)覆盖位于所述栅极(5)上方的还原金属层(6)；所述步骤3中还原金属层(6)的厚度小于