[发明专利]等离子体增强磁控溅射系统及方法在审
| 申请号： | 201610458183.0 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN105862005A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 石永敬;孙建春;原金海;周安若;吴英 | 申请（专利权）人： | 重庆科技学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/46;C23C14/50;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体增强磁控溅射系统及方法，该系统包括真空室、非平衡磁控溅射阴极、样品架和等离子体发生器，样品架和非平衡磁控溅射阴极都设置在真空室内，且非平衡磁控溅射阴极位于样品架的上方；等离子体发生器与真空室连通；等离子体发生器用于对注入其内的气体进行等离子体化，并将气体的等离子体输送至真空室内；非平衡磁控溅射阴极用于对气体的等离子体进一步电离，并溅射靶材，产生气源沉积到样品架上的衬底上。通过本发明，可以使单位时间内轰击到样品架上衬底表面的等离子密度增大，由此可以提高薄膜质量；另外可以提高薄膜的致密度并降低沉积薄膜的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 磁控溅射 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体增强磁控溅射系统，其特征在于，包括真空室、非平衡磁控溅射阴极、样品架和等离子体发生器，所述样品架和所述非平衡磁控溅射阴极都设置在所述真空室内上，所述非平衡磁控溅射阴极位于所述样品架上方；所述等离子体发生器与所述真空室连通；所述等离子体发生器用于对注入其内的气体进行等离子体化，并将所述气体的等离子体输送至所述真空室内；所述非平衡磁控溅射阴极用于对所述气体的等离子体进一步电离并溅射靶材，产生气源沉积到固定在所述样品架上的衬底上。
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