[发明专利]一种刻蚀掺铝氧化锌薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610458461.2 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN105931960B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 杜忠明;刘向鑫;屈飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种刻蚀掺铝氧化锌薄膜的方法，利用加速器加速的粒子轰击刻蚀掺铝氧化锌薄膜(AZO)表面，步骤如下：第一步，将装有待刻蚀的掺铝氧化锌(AZO)薄膜的支架置于磁控溅射设备的真空腔室中，抽真空至真空腔室真空度低于10‑3帕；第二步，向真空腔室通入惰性气体，惰性气体的流速为10‑20sccm；第三步，调节真空腔室的抽气阀门，使真空腔室的气压为0.5‑2.0Pa；第四步，打开阴极灯丝电源、接着打开加速极电源，最后打开中和灯丝电源，使电离惰性原子的阴极灯丝电流为0.1‑2A，中和惰性离子的中和灯丝电流为5‑15A。AZO薄膜上的Zn和O原子被轰击而离开薄膜，被轰击而离开薄膜的原子不断增加，实现对AZO薄膜的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀掺铝氧化锌薄膜的方法，其特征在于：所述刻蚀掺铝氧化锌薄膜的方法利用加速器加速的粒子轰击刻蚀掺铝氧化锌薄膜(AZO)表面；所述的刻蚀方法步骤如下：第一步，将装有待刻蚀的掺铝氧化锌(AZO)薄膜的支架置于磁控溅射设备的真空腔室中，抽真空至真空腔室真空度低于10‑3帕；第二步，向真空腔室通入惰性气体，惰性气体的流速为10‑20sccm；第三步，调节真空腔室的抽气阀门，使真空腔室的气压为0.5‑2.0Pa；第四步，打开阴极灯丝电源、接着打开加速极电源，最后打开中和灯丝电源，使电离惰性原子的阴极灯丝电流为0.1‑2A，中和惰性离子的中和灯丝电流为5‑15A；AZO薄膜上的Zn和O原子被轰击而离开薄膜，被轰击而离开薄膜的原子不断增加，实现对AZO薄膜的刻蚀；所述加速器的加速电压为50V、100V、150V、200V、250V、300V、350V、400V或500V中的任意一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
