[发明专利]增加ESD保护的LED芯片及其制造方法

摘要

增加ESD保护的LED芯片及其制造方法，涉及LED的生产技术领域。本发明在P极焊盘和第一绝缘层之间的透明导电层上设置图形化的a‑Si层；在部分第一绝缘层和部分图形化的a‑Si层上设置图形化的Drain极层；在透明导电层和另一部分图形化的a‑Si层设置图形化的Source极层；在透明导电层和图形化的Source极层、裸露的a‑Si层、部分图形化的Drain极层上设置第二绝缘层。本发明为可极大提升芯片ESD防护效果，为目前正装结构芯片提供一种具有ESD防护功能结构，该结构相对传统的齐纳二极管组方式更为简单，易于生产，也利于降低生产成本。

主权项

1.一种增加ESD保护的LED芯片，包括外延设置在衬底上的具有上台阶面和下台阶面的N型层，在N型层的上台阶面上依次设置有源层、P型层和透明导电层，在部分透明导电层上设置P极焊盘；在N型层的部分下台阶面上和另一部分透明导电层上，以及两者之间的P型层、有源层、N型层侧面设置第一绝缘层；在P极焊盘和第一绝缘层之间的透明导电层上设置图形化的a‑Si层；在部分第一绝缘层和部分图形化的a‑Si层上设置图形化的Drain极层；在透明导电层和另一部分图形化的a‑Si层设置图形化的Source极层；在透明导电层和图形化的Source极层、裸露的a‑Si层、部分图形化的Drain极层上设置第二绝缘层；在第二绝缘层和裸露的N型层的下台阶面上，以及两者之间的第一绝缘层、图形化的Drain极层上设置N极焊盘；在图形化的a‑Si层和透明导电层之间、在图形化的Source极层和透明导电层之间分别设置反射层。