[发明专利]一种黄绿光发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610458914.1 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN106025023B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 曹敏;王世俊;邢振远;李彤;董耀尽 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种黄绿光发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述黄绿光发光二极管包括N型GaAs衬底、以及依次层叠在N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型反射层、N型AlInP限制层、多量子阱层、P型AlInP限制层、P型GaP电流扩展层、P型GaP欧姆接触层，多量子阱层包括交替层叠的AlGaInP量子阱层和AlGaInP量子垒层，多量子阱层中均匀插入有多层空穴激发层，空穴激发层包括依次层叠的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、第三电子阻挡层，第一电子阻挡层和第三电子阻挡层均为非掺杂的AlInP层，第二电子阻挡层为P型掺杂的AlInP层。本发明提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黄绿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种黄绿光发光二极管，所述黄绿光发光二极管包括N型GaAs衬底、以及依次层叠在所述N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型反射层、N型AlInP限制层、多量子阱层、P型AlInP限制层、P型GaP电流扩展层、P型GaP欧姆接触层，所述多量子阱层包括交替层叠的AlGaInP量子阱层和AlGaInP量子垒层，其特征在于，所述多量子阱层中均匀插入有多层空穴激发层，所述空穴激发层包括依次层叠的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、第三电子阻挡层，所述第一电子阻挡层和所述第三电子阻挡层均为非掺杂的AlInP层，所述第二电子阻挡层为P型掺杂的AlInP层。
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