[发明专利]阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，该方法在氧化物半导体层薄膜上覆盖还原金属层，通过一道光罩制程图案化氧化物半导体层薄膜和还原金属层，同时形成源极图案、漏极图案、像素电极图案、及氧化物半导体层，再利用镭射退火将源极图案、漏极图案、与像素电极图案还原成导体，同时形成源极、漏极、与像素电极，整个制作过程最多仅需要三次光罩制程，相比现有技术，能够有效减少光罩制程的数量，简化制作工艺，降低生产成本，提升TFT的性能，增大阵列基板的开口率。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上沉积公共电极薄膜(2’)，在所述公共电极薄膜(2’)上沉积第一金属层(3’)；步骤2、通过第一次光罩制程图案化所述公共电极薄膜(2’)及第一金属层(3’)，形成公共电极(2)、及位于所述公共电极(2)上的栅极(31)和公共电极连接线(32)；步骤3、在所述基板(1)、公共电极(2)、栅极(31)、及公共电极连接线(32)上自下而上依次沉积栅极绝缘层(4)、氧化物半导体层薄膜(5’)、以及还原金属层(6’)；步骤4、通过第二次光罩制程图案化所述氧化物半导体层薄膜(5’)及还原金属层(6’)，形成待还原的源极图案(61’)、漏极图案(62’)、像素电极图案(63’)、及氧化物半导体层(5)；所述氧化物半导体层(5)位于所述栅极(31)的上方，所述源极图案(61’)与漏极图案(62’)间隔分布于所述氧化物半导体层(5)的两端并与所述氧化物半导体层(5)相接触，所述漏极图案(62’)与所述像素电极图案(63’)相接触，所述待还原的源极图案(61’)、漏极图案(62’)、及像素电极图案(63’)均包括自下而上层叠设置的氧化物半导体层薄膜(5’)和还原金属层(6’)；步骤5、对所述待还原的源极图案(61’)、漏极图案(62’)、及像素电极图案(63’)进行镭射退火，将所述源极图案(61’)、漏极图案(62’)、及像素电极图案(63’)还原成导体，形成源极(61)、漏极(62)、以及像素电极(63)；步骤6、在所述源极(61)、漏极(62)、像素电极(63)、氧化物半导体层(5)、及栅极绝缘层(4)上沉积钝化层(8)，完成阵列基板的制作。