[发明专利]一种去除石墨烯上光刻胶的方法在审
| 申请号： | 201610459777.3 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN105895522A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;贾鹏飞;薛忠营;郑晓虎;王刚;马骏;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除石墨烯上光刻胶的方法，包括：提供表面具有石墨烯的衬底；在所述石墨烯上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶，并进行需要光刻胶的后续工艺处理；利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶；利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅层及剩余的光刻胶。本发明的方法，在石墨烯与光刻胶之间插入一层氮化硅层，利用氢氟酸去除氮化硅层，从而通过去除氮化硅层可有效带走其上难以去除的光刻胶。插入的氮化硅层不会影响后续带胶工艺，易腐蚀，方便去除，且不会对石墨烯造成不利影响，避免了传统打胶处理对石墨烯造成的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 石墨 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种去除石墨烯上光刻胶的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供表面具有石墨烯的衬底；在所述石墨烯上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶，并进行需要光刻胶的后续工艺处理；利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶；利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅层及剩余的光刻胶。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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