[发明专利]一种铂纳米柱修饰的微电极阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201610460562.3 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106108891A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 夏凯;吴天准;孙滨;曾齐;彭琎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | A61B5/042 | 分类号： | A61B5/042;A61B5/0478;A61B5/04;A61N1/05;C23C18/44;C23C18/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。该微电极阵列以铂纳米柱为表面修饰层，修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，这有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 修饰 微电极 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铂纳米柱修饰的微电极阵列，其特征在于，所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。
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