[发明专利]一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置有效
申请号: | 201610460603.9 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN105845768B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 颜鑫;张霞;吴瑶;芦启超;任晓敏 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | H01L31/07 | 分类号: | H01L31/07;H01L31/0304;H01L31/028;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 | 代理人: | 项京,马敬 |
地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置,太阳能电池包括衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极;所述纳米线阵列生长在所述衬底上;所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围,所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部;所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部;所述正电极沉积在所述石墨烯之上,且不完全覆盖所述石墨烯;所述负电极沉积在所述衬底的外部。应用本发明实施例,能够提高太阳能电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极;所述衬底和所述纳米线的材料均为n型半导体材料;所述电介质的材料透明且绝缘;所述纳米线阵列生长在所述衬底上;所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围,所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部;所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部;所述正电极沉积在所述石墨烯之上,且不完全覆盖所述石墨烯;所述负电极沉积在所述衬底的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的