[发明专利]一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置有效

专利信息
申请号: 201610460603.9 申请日: 2016-06-22
公开(公告)号: CN105845768B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 颜鑫;张霞;吴瑶;芦启超;任晓敏 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: H01L31/07 分类号: H01L31/07;H01L31/0304;H01L31/028;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 代理人: 项京,马敬
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置,太阳能电池包括衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极;所述纳米线阵列生长在所述衬底上;所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围,所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部;所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部;所述正电极沉积在所述石墨烯之上,且不完全覆盖所述石墨烯;所述负电极沉积在所述衬底的外部。应用本发明实施例,能够提高太阳能电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 制备 方法 装置
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极;所述衬底和所述纳米线的材料均为n型半导体材料;所述电介质的材料透明且绝缘;所述纳米线阵列生长在所述衬底上;所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围,所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部;所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部;所述正电极沉积在所述石墨烯之上,且不完全覆盖所述石墨烯;所述负电极沉积在所述衬底的外部。
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