[发明专利]一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管

摘要

一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管，属于半导体光电子技术领域。该发光二极管包括P电极、电流扩展层、绝缘区、窗口层、上限制层、有源区、下限制层、缓冲层、N电极。通过离子注入的方法，注入深度达到有源区，能够使P电极下方的有源区绝缘，阻止了P电极正下方的电流输运，P电极流入的电流会横向扩展流入到周围的有源区，解决了P电极下方有源区发出的光被P电极阻挡和吸收的问题，改善了电流的扩展，提高了器件的光提取效率和发光强度。同时，采用本发明中有源区绝缘化的方法不会在器件表面产生台阶，不会影响器件的表面平整，提高了器件的可靠性。工艺简单、成本较低，适合批量生产。

主权项

一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管，其特征在于：该发光二极管包括P电极(1)、电流扩展层(9)、绝缘区(10)、窗口层(2)、上限制层(3)、有源区(4)、下限制层(5)、缓冲层(6)、N电极(7)；电流扩展层(9)、窗口层(2)、上限制层(3)、有源区(4)、下限制层(5)、缓冲层(6)、N电极(7)从上往下依次布置，P电极(1)设置在电流扩展层(9)的顶部中间位置，绝缘区(10)设置在窗口层(2)、上限制层(3)、有源区(4)的中间区域，绝缘区(10)设置在下限制层(5)的中间部分区域。