[发明专利]一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610461104.1 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106098893A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;李小平;吴奇隆;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管生产技术领域。在采用DBR结构反射镜的倒装LED中，引入金属Ag作为金属焊盘材料，通过Ag/TiW/Pt/Au或Ni/Ag/TiW/Pt/Au来构成金属焊盘，令带有Ag的金属焊盘和DBR结构形成ODR结构，令大部分芯片发光面均有ODR结构。采用Ag焊盘的ODR结构来提升对不同角度的入射光的反射率，可以将反射率均值提高至95%以上，预计可以提高LED的亮度约1%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简易 odr 结构 倒装 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管，包括衬底和设置在衬底上的N‑GaN层，在N‑GaN层上呈台阶状依次设置有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在电流扩展层上设置P电极，在台阶底部的N‑GaN层上设置N电极，在背离衬底一侧的裸露N‑GaN层、有源区、P‑GaN层、电流扩展层、P电极和N电极表面分别设置DBR结构层；其特征在于在DBR结构层上方分别设置N极焊盘和P极焊盘，所述N极焊盘和P极焊盘为Ag/TiW/Pt/Au或Ni/Ag/TiW/Pt/Au；所述金属N极焊盘与N电极导电连接，所述金属P极焊盘与P电极导电连接。
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