[发明专利]一种半导体设备及其制作方法有效
| 申请号： | 201610462387.1 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105914187B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李学良;西里奥艾珀里亚科夫 | 申请（专利权）人： | 四川洪芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 629200 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，尤其是采用以铝硅酸盐为基本成分的钝化半导体器件，如氧化铅铝硅酸盐玻璃，金属氧化物玻璃保护层，适用于高压应用。为了增加该半导体器件在反向偏压和高温热应力下的可靠性，该铝硅酸盐玻璃钝化层常常含有浓度在100ppm（mol，摩尔百分数）到1000ppm（mol，摩尔百分数）的氟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体设备 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，具有表面终端的PN结，包括Zn‑或Pb‑铝硅酸盐玻璃钝化层，其特征在于：所述铝硅酸盐玻璃钝化层含有摩尔百分数在100ppm到1000ppm的氟；所述氟通过在150℃‑400℃的温度下，直接氟化，被引入到分散性在10nm到100nm的纳米级钝化玻璃粉。
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