[发明专利]一种碳化硅表面清洁方法在审
| 申请号： | 201610462733.6 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106024586A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张孔欣;唐亚超;何钧;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种碳化硅表面清洁方法。提供了一种方便清洁、降低表面消耗，操作可靠性高的碳化硅表面清洁方法。包括以下步骤：S1：在碳化硅具有杂质的表面沉积一层固体物质；S2：将固体物质与碳化硅表面物质进行反应，形成反应层；S3：去除反应层以及反应层上剩余的固体物质；S4：清洁完成。本发明在工作中，与碳化硅紧密接触的固体材料，在高温下，短时间内与碳化硅材料（以及其表面杂质污染物质）反应，形成化合物，并且可以被这种固体材料以及其化合物对应的湿法腐蚀工艺去除，留下干净新鲜的理想碳化硅表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅表面清洁方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在碳化硅具有杂质的表面沉积一层固体物质；S2：将固体物质与碳化硅表面物质进行反应，形成反应层；S3：去除反应层以及反应层上剩余的固体物质；S4：清洁完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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