[发明专利]一种p区结构的紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201610463013.1 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106098880B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 孙月静 | 申请（专利权）人： | 孙月静 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/16;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，具体为一种新型p区结构的紫外发光二极管(UV‑LED)，包括管体，管体由下至上依次设有蓝宝石衬底、AlN成核层、非掺杂u型AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Alx1Ga1‑x1N/Alx2Ga1‑x2N量子阱有源区、p型Zny1Mg1‑y1O/Alx3Ga1‑x3N超晶格结构电子阻挡层、p型Zny2Mgy3Ni1‑y2‑y3O层和氧化铟锡透明导电层，氧化铟锡透明导电层上引出p型欧姆电极，n型AlGaN层上引出n型欧姆电极。本发明，p型Zny1Mg1‑y1O/Alx3Ga1‑x3N超晶格结构对载流子具有强的量子限制效应，能够有效抑制电子溢出有源区，p型Zny2Mgy3Ni1‑y2‑y3O层提高载流子在有源区的复合效率，采用r面、m面或者a面的蓝宝石作为衬底材料，能够得到非极性或者半极性AlGaN材料，减少电子与空穴波函数在空间上的分离，提高载流子的辐射复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种p区结构的紫外发光二极管，包括管体(1)，其特征在于：所述管体(1)由下至上依次设有蓝宝石衬底(101)、AlN成核层(102)、非掺杂u型AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、Alx1Ga1‑x1N/Alx2Ga1‑x2N量子阱有源区(105)、p型Zny1Mg1‑y1O/Alx3Ga1‑x3N超晶格结构电子阻挡层(106)、p型Zny2Mgy3Ni1‑y2‑y3O层(107)和氧化铟锡透明导电层(108)，在所述氧化铟锡透明导电层(108)上引出p型欧姆电极(109)，在所述n型AlGaN层(104)上引出n型欧姆电极(110)。
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