[发明专利]一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液及其低温刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610463014.6 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106222660B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张洪涛;王炜;谭化兵 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;C23F1/30;C23F1/28;C23F1/18 |
| 代理公司： | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人： | 肖淑芳 |
| 地址： | 214174 江苏省无锡市无锡惠山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液，盐酸浓度为0.7‑1.3mol/L、双氧水的氧化还原电位为630‑680mv。本发明是采用低酸的刻蚀药水配方和低温的刻蚀方法，刻蚀环境温和，有利于更好的保持石墨烯的完整和导电性能，从而实现石墨烯稳定的规模化制备和后续应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 法制 石墨 低温 衬底 刻蚀 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液，其特征在于：盐酸浓度为0.7‑1.3mol/L、双氧水的氧化还原电位为630‑680mV；所述刻蚀液中还含有石墨烯掺杂剂，所述石墨烯掺杂剂采用氯化铁；所述掺杂剂在刻蚀液中的浓度为100‑150g/L。
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