[发明专利]一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法有效
| 申请号： | 201610463104.5 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN106116135B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 马静;冯高锋;杨军勇;章海峰;陈坚盾 | 申请（专利权）人： | 浙江富通光纤技术有限公司;富通集团有限公司;杭州富通通信技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014;C03B37/018;C03B37/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 311422 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法，包括：对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻；在所述掺氟沉积管内沉积二氧化硅并进行玻璃化，形成二氧化硅芯层；将具有所述二氧化硅芯层的所述掺氟沉积管熔缩为实心的芯棒，其中，所述掺氟沉积管形成内包层；在所述芯棒的外部沉积二氧化硅，形成外包层，制成纯硅芯光纤预制棒；将所述纯硅芯光纤预制棒进行拉丝，制成纯硅芯低损耗光纤。本发明提供的上述纯硅芯低损耗光纤的制造方法，能够避免氟元素扩散进入芯层和芯层的OH‑含量超标，保证拉丝光纤的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯硅芯低 损耗 光纤 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法，其特征在于，包括：对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻；在所述掺氟沉积管内沉积二氧化硅并进行玻璃化，形成二氧化硅芯层；将具有所述二氧化硅芯层的所述掺氟沉积管熔缩为实心的芯棒，其中，所述掺氟沉积管形成内包层；在所述芯棒的外部沉积二氧化硅，形成外包层，制成纯硅芯光纤预制棒；将所述纯硅芯光纤预制棒进行拉丝，制成纯硅芯低损耗光纤；所述对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻包括：对折射率范围为1.4520至1.4530、厚度范围为2.5mm至4mm且外径范围为30mm至35mm的掺氟沉积管的内壁进行蚀刻；所述对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻为：利用MCVD方法对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江富通光纤技术有限公司;富通集团有限公司;杭州富通通信技术股份有限公司，未经浙江富通光纤技术有限公司;富通集团有限公司;杭州富通通信技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610463104.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
