[发明专利]一种电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610463375.0 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106166864B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王小蓓;王炜;谭化兵 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B27/06;B32B27/28;B32B27/30;B32B27/32;B32B27/36;B32B37/00;B32B38/18 |
| 代理公司： | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人： | 艾娟 |
| 地址： | 214174 江苏省无锡市无锡惠山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：1)对目标基底进行电晕处理；2)将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起，得到胶膜/石墨烯/金属衬底的结构；3)去除金属衬底，得到胶膜/石墨烯的结构；4)将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与电晕处理过的目标基底贴合在一起；5)去除胶膜，得到石墨烯/目标基底的结构，即本发明石墨烯薄膜。本发明方法，可以在目标基底上获得较大面积的石墨烯，可得到300mm×200mm的面积，并且单层石墨烯膜方阻较低(≤150Ω/□)，与直接转移到未经过处理的目标基底上的方法相比，对目标基底进行预处理后单层石墨烯薄膜的方阻可以大幅度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 目标基 胶膜 方阻 石墨烯薄膜 金属衬 单层石墨烯 电晕处理 电晕 去除 贴合 预处理 薄膜 生长 | ||
【主权项】：
1.一种电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：1）对目标基底进行电晕处理；2）将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起，得到胶膜/石墨烯/金属衬底的结构；3）去除金属衬底，得到胶膜/石墨烯的结构；4）将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与电晕处理过的目标基底贴合在一起；5）去除胶膜，得到石墨烯/目标基底的结构，即石墨烯薄膜。
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