[发明专利]一种湿法硅片清洗方法

摘要

本发明公开了一种湿法硅片清洗方法，包括以下步骤：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤5、在55℃～70℃的温度下，在使用SC‑1溶液对硅片进行清洗；步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤7、在55℃～70℃的温度下，使用SC‑2溶液对硅片进行清洗；步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。本发明在清洗中使用了合适的温度范围，与现有的常温的湿法清洗技术相比，反应速率加快，则在相同的清洗程度之下，本发明所使用的氢氟酸等有害化学物质减少。

主权项

1.一种湿法硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；所述硫酸、过氧化氢和去离子水的体积比为H₂SO₄：H₂O₂：H₂O＝400：20：1；步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；所述氢氟酸和水的体积比为HF：H₂O＝5：1；步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤5、在55℃～70℃的温度下，在使用SC‑1溶液对硅片进行清洗；所述SC‑1中的溶液体积比为：NH₄OH：H₂O₂:H₂O＝1:4：20；步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤7、在55℃～70℃的温度下，使用SC‑2溶液对硅片进行清洗；所述SC‑2中的溶液体积比为：HCl：H₂O₂:H₂O＝1:1：50；步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。