[发明专利]制备高级氢化硅烷化合物的方法有效
申请号: | 201610464590.2 | 申请日: | 2011-09-27 |
公开(公告)号: | CN106046381B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | S.韦贝尔;M.帕茨;J.黑辛格;J.克拉特 | 申请(专利权)人: | 赢创运营有限公司 |
主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60;C01B33/04;C23C18/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及制备高级氢化硅烷化合物的方法。具体地,本发明涉及用于快速和无金属地从低级氢化硅烷化合物制备高级氢化硅烷化合物的方法,其中将至少一种低级氢化硅烷化合物(I)在至少一种具有重均分子量为至少500g/mol的氢化硅烷化合物(II)存在下进行热反应,涉及用此方法可获得的氢化硅烷化合物和它们的用途。 | ||
搜索关键词: | 制备 高级 氢化 硅烷 化合物 方法 | ||
【主权项】:
氢化硅烷化合物,其能通过由低级氢化硅烷化合物制备高级氢化硅烷化合物的方法制备,其中:将至少一种低级氢化硅烷化合物(I)在至少一种具有重均分子量为至少500g/mol的氢化硅烷化合物(II)存在下进行热反应,其中低级氢化硅烷化合物表示平均具有少于或等于10个硅原子的氢化硅烷化合物,高级氢化硅烷化合物表示具有平均至少26个硅原子的氢化硅烷化合物。
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