[发明专利]一种AlGaN基紫外发光二极管

摘要

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，尤其为一种新型AlGaN基紫外发光二极管，包括管体，管体内由下至上依次设有蓝宝石衬底、AlN成核层、非掺杂u型Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N缓冲层、n型Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层、Alx3Iny3Ga1‑x3‑y3N/Alx4Iny4Ga1‑x4‑y4N量子阱有源区、p型NiO/Alx5Iny5Ga1‑x5‑y5N超晶格结构电子阻挡层、p型Znz1Mgz2Ni1‑z1‑z2O层和氧化铟锡透明导电层，在氧化铟锡透明导电层上引出p型欧姆电极，在n型Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层上引出n型欧姆电极。本发明，AlInGaN材料可使禁带宽度及晶格常数可以独立调节，有效地提高外延层的晶体质量，p型NiO/Alx5Iny5Ga1‑x5‑y5N超晶格结构对载流子具有强的量子限制效应，p型Zny2Mgy3Ni1‑y2‑y3O层，提高载流子在有源区的复合效率，r面、m面或者a面的蓝宝石衬底材料，使非极性或者半极性AlGaN材料，减少电子与空穴波函数在空间上的分离，提高载流子的辐射复合效率。

主权项

1.一种AlGaN基紫外发光二极管，包括管体(1)，其特征在于：所述管体(1)内由下至上依次设有蓝宝石衬底(101)、AlN成核层(102)、非掺杂u型Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N缓冲层(103)、n型Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层(104)、Alx3Iny3Ga1‑x3‑y3N/Alx4Iny4Ga1‑x4‑y4N量子阱有源区(105)、p型NiO/Alx5Iny5Ga1‑x5‑y5N超晶格结构电子阻挡层(106)、p型Znz1Mgz2Ni1‑z1‑z2O层(107)和氧化铟锡透明导电层(108)，在所述氧化铟锡透明导电层(108)上引出p型欧姆电极(109)，在所述n型Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层(104)上引出n型欧姆电极(110)。