[发明专利]一种多晶硅还原方法有效
| 申请号： | 201610465438.6 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106115709B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 黄雪;李岩;张建新;张海峰 | 申请（专利权）人： | 南京德邦金属装备工程股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 211100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多晶硅还原的方法，采用以下多晶硅还原炉；还原炉包括底盘和炉体，所述炉体为底盘之上部，炉体为圆柱状加半球顶的反应腔室；底盘为圆盘状，原料气进口和尾气出口均布在底盘上，底盘上均布30‑50对电极，所述一半电极在底盘上均匀竖直安装，另一半电极为吊装电极，与底盘上竖直安装电极交错分布，吊装电极的底端距底盘3‑10cm；吊装电极的上端位置与圆柱状与半球顶交界处平齐；原料气进口和尾气出口均布在底盘的不同半径的圆周上，在一个半径的圆周上布置原料气进口时，在相邻的半径的圆周上布置尾气出口；在吊装电极的上端平面位置设有温度传感器，控制原料气的流量使得传感器的温度达到910‑935℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 还原 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅还原的方法，其特征是采用以下多晶硅还原炉；还原炉包括底盘和炉体，所述炉体为底盘之上部，炉体为圆柱状加半球顶的反应腔室；底盘为圆盘状，原料气进口和尾气出口均布在底盘上，底盘上均布30‑50对电极，所述一半电极在底盘上均匀竖直安装，另一半电极为吊装电极，与底盘上竖直安装电极交错分布，吊装电极的底端距底盘3‑10cm；吊装电极的上端位置与圆柱状与半球顶交界处平齐，原料气进口通过高为3‑10cm的进气管安装在底盘上；原料气进口和尾气出口均布在底盘的不同半径的圆周上，在一个半径的圆周上布置原料气进口时，在相邻的半径的圆周上布置尾气出口；在吊装电极的上端平面位置设有温度传感器，控制原料气的流量使得传感器的温度达到910‑935℃；使得传感器的温度达到910℃‑925℃；温度低于910℃时增大原料气流量，温度在升高接近或超过925℃时减少原料混合气的流量。
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