[发明专利]在有源装置区中具有埋入介电区的双极结晶体管有效
| 申请号： | 201610465839.1 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106298896B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | R·卡米洛卡斯蒂略;V·贾殷;M·H·哈提尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在有源装置区中具有埋入介电区的双极结晶体管。一种双极结晶体管的装置结构及制造方法。形成沟槽隔离区沿侧壁环绕有源装置区。形成介电区从该有源装置区的侧壁横向延伸进入该有源装置区。该介电区位于该有源装置区的顶面之下，使得该有源装置区的一部分位于该顶面及该介电区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 装置 具有 埋入 介电区 结晶体 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置结构的方法，该方法包括：形成沟槽隔离区，该沟槽隔离区沿着侧壁环绕有源装置区，其中，该有源装置区由半导体材料构成；以及形成介电区，该介电区从该有源装置区的该侧壁横向延伸进入该有源装置区，其中，该介电区位于该有源装置区的顶面之下，使得该有源装置区的一部分位于该顶面及该介电区之间，以及其中，形成从该有源装置区的该侧壁横向延伸进入到该有源装置区的该介电区包括：形成沟槽，该沟槽部分地延伸穿过与该有源装置区的该侧壁的一部分共同延伸的该沟槽隔离区；以及形成在该半导体材料内的受损区，该受损区位于该有源装置区的该侧壁的该部分的下方。
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