[发明专利]无界面掺杂的背接触硅异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种无界面掺杂的背接触硅异质结太阳能电池及其制备方法。该电池包括：具有相对的第一表面和第二表面的基材层，所述第一表面为凹凸面；叠设于所述第一表面上的钝化层；叠设于所述第二表面的电子层和空穴层，且电子层和空穴层有间隔；以及叠设于电子的阴极电极和叠设于空穴层的阳极电极。由该电池采用n型或p型硅片作为基材，以氧化铝作为钝化层，制备时不需要高温，制备过程中极大的降低能耗，节约成本，获得的电池具有结构稳定、品质优良等特点。

主权项

1.一种无界面掺杂的背接触硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述无界面掺杂的背接触硅异质结太阳能电池由如下组件构成：基材层，所述基材层具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面为凹凸面；钝化层，所述钝化层由氧化铝构成，所述钝化层叠设于所述第一表面上；电子层和空穴层，所述电子层和空穴层叠设于所述第二表面上，且所述电子层和所述空穴层在所述第二表面上相互交替排列且有间隔；阴极电极和阳极电极，所述阴极电极叠设于所述电子层表面，所述阳极电极叠设于所述空穴层表面；所述无界面掺杂的背接触硅异质结太阳能电池按照如下的方法制备：采用氢氧化钠和异丙醇的混合溶液对整平且洁净后的n型或p型硅基材的第一表面进行各向异性腐蚀绒化处理；对腐蚀后的所述第一表面进行甲基钝化处理；对所述第一表面进行钝化层的沉积处理；在n型或p型硅基材的第二表面分别进行电子层和空穴层的蒸镀处理，并使得蒸镀形成的电子层和空穴层叠设于所述第二表面上，且所述电子层和空穴层相互间有间隔；在所述电子层和空穴层表面分别进行阴极电极和阳极电极的蒸镀处理；其中，所述基材层的厚度为350μm，钝化层厚度为16nm；所述电子层为氟化锂，厚度为0.5nm、宽度为2mm；所述空穴层为氧化钼，厚度为10nm、宽度为3mm；所述电子层和所述空穴层的间隔为50μm；或：所述电子层的宽度为4mm；所述空穴层的宽度为6mm；或：所述电子层的宽度为8mm；所述空穴层的宽度为12mm。