[发明专利]一种基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池及制备方法有效
申请号: | 201610466410.4 | 申请日: | 2016-06-23 |
公开(公告)号: | CN106098812B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 叶建东;李靖;刘松民;朱顺明;汤坤;顾书林 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/077;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池,自上而下依次为包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列、包裹纳米线底端的PMDS支撑层和p型掺杂高导单晶硅层衬底,利用具有中间带特性的氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列作为光电吸收层;在AZO透明导电薄膜和p型掺杂高导单晶硅层分别引出电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 掺杂 碲化锌 纳米 阵列 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳电池制备方法,其特征是太阳电池为基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列,自上而下依次为:包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列、包裹纳米线底端的PMDS支撑层和p 型掺杂高导单晶硅层衬底,利用具有中间带特性的氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列作为光电吸收层;在AZO透明导电薄膜和p 型掺杂高导单晶硅层分别引出电极;氧掺杂碲化锌纳米线阵列高度为5~10μm,纳米线直径为100‑300nm,氧掺杂碲化锌中氧扩散掺杂浓度为1‑5%,扩散层厚度在20~100nm;碲化锌厚度为10~50nm;氧化锌、氧掺杂碲化锌、碲化锌三者形成同轴包覆结构,氧化锌在最外层;每平方微米衬底表面上能观察到的氧掺杂碲化锌纳米线数量在2根以上;氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列的物理气相沉积在多温区管式炉中完成;碲化锌源是粉末状碲化锌晶体,置于气流的上游并且位于管式炉的一个温区加热段的中央;沉积碲化锌纳米线的衬底置于碲化锌源的下游并且位于一个温区加热段中央或两加热段之间;沉积过程中多个加热段同时升温以保证管式炉内温度分布均匀恒定,且保证蒸发源温度维持在780~900℃,衬底温度维持在380~450℃,保温30~90分钟,制备出均匀无缺陷的碲化锌纳米线;沉积碲化锌所用催化剂金或者铋,由电子束蒸发或磁控溅射工艺,镀在用于沉积碲化锌的衬底上,再经退火形成直径25~100nm的颗粒;气相输运碲化锌的输运气体使用高纯氮气,流量由气体流量计精确控制在50~200sccm,由碲化锌源流向衬底;衬底表面与气相输运碲化锌的气流呈50°~80°角;在完成碲化锌纳米线的沉积后,将管式炉内气氛置换为氧气与氮气的混合气,升温并维持在200~300℃,保温2~20小时得到氧掺杂碲化锌;氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌同轴包覆纳米线阵列通过对碲化锌纳米线阵列在氧气与氮气的混合气氛下退火制备而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学,未经南京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610466410.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的