[发明专利]一种过零检测电路

摘要

本发明属于模拟集成电路技术领域，具体的说涉及一种高压过零检测电路。本发明的电路与传统的电路相比，采用两个耗尽型高压NMOS管，其余全部为普通管，不仅实现了高压交流电的过零点检测。而且因为其结构简单且易于集成，大大节省了面积与成本。

主权项

一种过零检测电路,包括比较器电路、逻辑输出电路和反馈回路；所述比较器由第一二极管D1、第二二极管D2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6构成；其中，第一二极管D1的正极接外部交流输入信号，其负极通过第一电阻R1后接第一NMOS管N1的漏极；第一NMOS管N1的源极连接第一PMOS管P1的栅极与第三电阻R3的一端和第六电阻R6的一端；第二二极管D2的正极接外部交流输入信号，其负极通过第二电阻R2后接第二NMOS管N2的漏极，第二NMOS管N2的源极连接第二PMOS管P2的栅极与第四电阻R4的一端和第五电阻R5的一端；第一PMOS管P1的漏极接第五电阻R5的另一端，第二PMOS管P2的漏极接第六电阻R6的另一端；第一NMOS管N1的栅极、第二NMOS管N2的栅极、第三电阻R3的另一端和第四电阻R4的另一端均接地；所述逻辑输出电路由两部分构成，第一部分由第一NPN管Q1、第九电阻R9、第十一电阻R11、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4组成；第二部分由第二NPN管Q2、第十电阻R10、第十二电阻R12、第五反相器INV5、第六反相器INV6、第七反相器INV7、第八反相器INV8组成；其中，第一PMOS管P1的源极与第一NPN管Q1的基极、第九电阻R9的一端以及第三NMOS管N3的漏极连接；第二PMOS管P2的源极与第二NPN管Q2的基极、第十电阻R10的一端以及第四NMOS管N4的漏极连接；第一NPN管N1的发射极与第九电阻R9的另一端连接，第一NPN管N1的集电极与第十一电阻R11的一端，与第一反相器INV1的正极，与第三反相器INV3的正极连接；第一反相器INV1的负极与第二反相器INV2的正极连接，第十一电阻R11的另一端接电源，第二反相器INV2的负极为输出端口；第二NPN管N2的发射极与第十电阻R10的另一端连接，第二NPN管N2的集电极与第十二电阻R12的一端，与第五反相器INV5的正极，与第七反相器INV7的正极连接；第五反相器INV5的负极与第六反相器INV6的正极连接，第十二电阻R12的另一端接电源，第六反相器INV6的负极为输出端口；所述反馈回路由两部分构成，第一部分由第三反相器INV3、第四反相器INV4、第三NMOS管N3、第七电阻R7构成；第二部分由第七反相器INV7、第八反相器INV8、第四NMOS管N4、第八电阻R8构成；其中，第三反相器INV3的负极接第四反相器INV4的正极，第四反相器INV4的负极接第三NMOS管N3的栅极，第三NMOS管N3的源极接第七电阻R7的一端，第七电阻R7的另一端接地；其中第七反相器INV7的负极接第八反相器INV8的正极，第八反相器INV8的负极接第四NMOS管N4的栅极，第四NMOS管N4的源极接第八电阻R8的一端，第八电阻R8的另一端接地。