[发明专利]带有规整填料的物质交换设备

摘要

一种吸收器或解吸器包含用于规整填料的第一层(10)，第一层(10)具有波形的轮廓，其中，通过该波形的轮廓构造多个敞开的通道(12,14,16)，其中，通道包括第一波谷(22)、第一波峰(32)以及第二波峰(42)。第一波峰(32)和第二波峰(42)限制第一波谷(22)，其中，第一和第二波峰具有第一顶部(33)和第二顶部(43)。在第一波峰(32)的第一顶部(33)上构造有在第一顶部(33)的方向上延伸的凹口(34)。第一波谷(22)具有谷底(23)，其中，凹口(34)的至少一个点到波谷(22)的谷底(23)的垂直间距(27)小于第一顶部(33)到波谷(22)的谷底(23)的垂直间距(28)。

主权项

1.一种吸收器或解吸器，包含用于规整填料的第一层(10)，所述第一层(10)具有第一波形的轮廓，其中，通过所述第一波形的轮廓构造多个第一敞开的通道，其中，所述多个第一敞开的通道中的一个包括第一波谷(22)、第一波峰(32)以及第二波峰(42)，其中，所述第一波峰(32)和所述第二波峰(42)限制所述第一波谷(22)，其中，所述第一波峰和所述第二波峰分别具有第一圆形顶部(33)和第二圆形顶部(43)，其中，在所述第一波峰(32)的第一圆形顶部(33)上构造有沿着所述第一圆形顶部(33)的延伸方向延伸的第一圆形凹口(34)，其中，在所述第二波峰(42)的第二圆形顶部(43)上构造有沿着所述第二圆形顶部(43)的延伸方向延伸的第二圆形凹口(44)，所述第一波谷(22)具有谷底(23)，其中，在所述谷底(23)上构造有沿着所述谷底(23)的延伸方向延伸的第三圆形凹口(24)，所述第一圆形凹口(34)的至少一个点到所述第一波谷(22)的谷底(23)的第一垂直间距(27)小于所述第一圆形顶部(33)到所述第一波谷(22)的第一谷底(23)的第二垂直间距(28)，由此，在所述第一层(10)上布置有第二层(100)，其中，所述第二层(100)具有第二波形的轮廓，其构造多个第二敞开的通道，其中，如此布置所述第一层(10)和所述第二层(100)，即，使得所述第一层(10)的多个第一敞开的通道与所述第二层(100)的多个第二敞开的通道交叉，其中，所述第一层(10)和所述第二层(100)通过所述第一波形的轮廓的第一圆形顶部(33)和第二圆形顶部(43)与所述第二波形的轮廓的谷底处于触碰的接触中，其特征在于，通过所述第一波形的轮廓的第一圆形顶部(33)和第二圆形顶部(43)与所述第二波形的轮廓的谷底的触碰的接触在所述第一圆形凹口(34)，所述第二圆形凹口(44)或所述第二波形的轮廓的谷底上构造的凹口的每个中被中断，其中，通过相应的谷底(23)，第一圆形顶部(33)和第二圆形顶部(43)的塑性的变形施加第一圆形凹口(34)、第二圆形凹口(44)和第三圆形凹口(24)的每个，其中，所述第一圆形凹口(34)的深度和所述第二圆形凹口(44)的深度在第二垂直间距(28)的10%至30%的范围中，从而在该范围中的第一层(10)和第二层(100)之间得到间隙。