[发明专利]基板处理方法在审
| 申请号： | 201610467283.X | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107437503A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 徐映水;闵昔基;李埈爀;韩泳琪;卞亨锡;李奎尚 | 申请（专利权）人： | 灿美工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨贝贝,臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基板处理方法，其包含准备在一面形成有第一膜及汽缸孔的基板；将基板安置于腔室内部，腔室内部具备可分别以等离子体状态供给多个气体的多个簇射头；利用多个簇射头在第一膜的一面及汽缸孔的内部面形成第二膜；对利用多个簇射头形成在汽缸孔的入口部的第二膜的一部分进行蚀刻；及依序反复进行多次形成第二膜的过程与对第二膜的一部分进行蚀刻而对第二膜的厚度进行控制；且在制造汽缸结构的电容器时，可在使基板与簇射头间的间隔变窄的状态下，将制程气体的等离子体均匀地扩散到基板上，顺利地去除形成在汽缸孔的入口部的薄膜的突出物。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其特征在于，包括：准备在一面形成有第一膜及汽缸孔的基板；将所述基板安置于具备分别以等离子体状态供给多个气体的多个簇射头的腔室内部；利用所述多个簇射头在所述第一膜的一面及所述汽缸孔的内部面形成第二膜；以及对利用所述多个簇射头形成在所述汽缸孔的入口部的所述第二膜的一部分进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
