[发明专利]一种基于IGBT用区熔8英寸硅单晶的新生产方法在审
| 申请号： | 201610467354.6 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106011997A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 杨凯;高辉 | 申请（专利权）人： | 北京天能运通晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/16 | 分类号： | C30B13/16;C30B13/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 现今社会随着各种工业的快速发展，能源和电力系统的应用、信息业的发展、微电子技术、微波电子技术、光电子技术、电力电子技术、传感技术等各方都在应用半导体材料；并且随着我国一批国家重点大型和超大型水利、火力发电工程、地铁、轻轨、铁路工程的陆续开工和新兴IGBT产业的兴起对于——区熔硅单晶尤其是大直径区熔8英寸单晶的生产产能不足、工艺相对缺乏的问题更将凸现出来。8英寸区熔硅单晶生产目前主要以手动操作控制单晶生长为基础，本文围绕稳定8英寸区熔硅单晶生长过程中单晶形状问题的生产工艺，从手动生产加功率的方法、功率输出的稳定性、单晶生长的角度等着重说明这一种基于IGBT用区熔8英寸硅单晶的生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt 用区熔 英寸 硅单晶 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种基于IGBT用区熔8英寸硅单晶的新生产方法,其目的在于能够提高8英寸硅单晶的拉制方法，降低生产的损耗。
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