[发明专利]一种氮化铁薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610469979.6 | 申请日： | 2016-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN106011748B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李静;彭晓领;杨艳婷;徐靖才;王攀峰;金红晓;金顶峰;洪波;王新庆;葛洪良 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种氮化铁薄膜的制备方法。该方法是采用激光脉冲沉积的方法，通过控制沉积温度、时间和氧气流量，来制备氧化铁薄膜；通入氢气，在300~400℃还原4‑20h，以获得铁薄膜；通入氨气，在120~200℃氮化1~30h；氮化过程中施加磁场，诱导氮化铁的取向，磁场强度0.1~2T；降温，随炉冷却至室温，取出样品，即可获得氮化铁薄膜。该方法可以直接获得高α"‑Fe |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铁薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：第一步：氧化铁薄膜制备选择纯铁靶材和干净玻璃衬底；制备过程中，衬底温度为20～600℃；气氛为氧气，氧气流量控制在10～100sccm；沉积时间控制在0.3~3h；第二步：还原将氧化铁薄膜取出，置于热处理炉中，以恒定的速率通入氢气，在300~400℃还原4-20h，以获得铁薄膜；第三步：氮化通入氨气，在120~200℃氮化1~30h；氮化过程中施加磁场，诱导氮化铁的取向，磁场强度0.1~2T；降温，随炉冷却至室温，取出样品，即可获得氮化铁薄膜；所述的磁场由电磁铁或永磁体产生；所述的永磁体包括钐钴磁体、钕铁硼磁体、铁氧体磁体、铁钴磁体、铝镍钴磁体和铁铂合金磁体。
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