[发明专利]检测掩膜板质量的方法在审
申请号: | 201610470791.3 | 申请日: | 2016-06-24 |
公开(公告)号: | CN105892224A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 王雷 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种检测掩膜板质量的方法,包含如下步骤:步骤1,产生一组测量图形,所述测量图形包括至少两个图形:一个把铬全部去除,露出衬底玻璃基板的图形;以及一个按最小设计规则1:1的铬全部去除,露出衬底玻璃基板的图形;步骤2,以所述测量图形产生一块标准掩膜板,该标准掩膜板包含的测量图形均匀分布在掩膜板曝光范围内;步骤3,使用实际生产用聚焦光束对标准掩膜板的测量图形进行照射,测量其透过率并进行AIMS系统测试确定其在标准CD下的阈值;步骤4,将所述测量图形放置到实际掩膜板中,出厂时对透过率和标准CD下AIMS系统测量的阈值,进行检测并将其和步骤3获得的值进行对比。 | ||
搜索关键词: | 检测 掩膜板 质量 方法 | ||
【主权项】:
一种检测掩膜板质量的方法,其特征在于:包含如下步骤:步骤1,产生一组测量图形,所述测量图形包括至少两个图形:一个把铬全部去除,露出衬底玻璃基板的图形,称之为全开图形;以及一个按最小设计规则1:1的铬部分去除,露出衬底玻璃基板的图形,称之为1:1图形;步骤2,以所述测量图形产生一块标准掩膜板,该标准掩膜板包含的测量图形均匀分布在掩膜板曝光范围内;步骤3,使用实际生产用聚焦光束对标准掩膜板上的测量图形进行照射,测量其透过率并进行AIMS系统测试确定其在标准CD下的阈值;步骤4,将所述测量图形放置到实际掩膜板中,出厂时对透过率和标准CD下AIMS系统测量的阈值,进行检测并将其和步骤3获得的值进行对比。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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