[发明专利]运算放大器有效

专利信息
申请号: 201610470795.1 申请日: 2016-06-24
公开(公告)号: CN106160683B 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 邵博闻;唐成伟 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种运算放大器,包括第一级放大电路和第二级放大电路;其中第一级放大电路为单端输出差分放大电路,第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极分别作为单端输出差分放大电路的正相输入和端反相输入端,第十一PMOS管的漏极作为反相输出端并输出第一级放大信号;第二级放大电路,其输入端连接第一级放大信号,第七MOS晶体管和第二级放大电路的输出端相连并为第二放大电路提供电流源负载。第二电容和第七MOS晶体管在单端输出差分放大电路的反相输入端和第二级放大电路的输出端之间形成前馈通路,第七MOS晶体管的跨导设置为大于第一级放大电路的跨导使运算放大器形成一个左半平面零点,能够抵消一个极点,达到提高电路的稳定性的效果。
搜索关键词: 放大器
【主权项】:
1.一种运算放大器,其特征在于,包括:第一级放大电路,为单端输出差分放大电路;由第一MOS晶体管和第二MOS晶体管组成所述单端输出差分放大电路的输入对管;所述第一MOS晶体管的栅极为所述单端输出差分放大电路的正相输入端,所述第二MOS晶体管的栅极为所述单端输出差分放大电路的反相输入端;所述第一MOS晶体管的负载由第八PMOS管组成,所述第二MOS晶体管的负载由第九PMOS管组成;所述第一MOS晶体管的漏极连接所述第八PMOS管的漏极,所述第二MOS晶体管的漏极连接第九PMOS管的栅极和漏极以及第十一PMOS管的栅极;所述第八PMOS管的源极、第九PMOS管的源极和第十一PMOS管的源极都连接电源电压;所述第十一PMOS管的漏极作为所述单端输出差分放大电路的反相输出端,所述单端输出差分放大电路的反相输出端作为所述第一级放大电路的输出端并输出第一级放大信号;第二级放大电路,其输入端连接所述第一级放大信号,所述第二级放大电路的输出端输出第二级放大信号;所述第二级放大电路的输入端和输出端之间连接第一电容;所述第一电容在所述第二级放大电路的输入端和输出端形成密勒补偿通路;所述第二级放大电路包括第七MOS晶体管,所述第七MOS晶体管和所述第二级放大电路的输出端相连并为所述第二级放大电路提供电流源负载;所述第二MOS晶体管的栅极通过第二电容连接到所述第七MOS晶体管的栅极,通过所述第二电容和所述第七MOS晶体管在所述单端输出差分放大电路的反相输入端和所述第二级放大电路的输出端之间形成前馈通路,所述第七MOS晶体管对前馈通路信号放大且所述第七MOS晶体管的跨导设置为大于所述第一级放大电路的跨导使运算放大器形成一个左半平面零点;所述第二级放大电路的放大部分由第十二PMOS管组成;所述第十二PMOS管的源极连接电源电压,所述第十二PMOS管的栅极作为所述第二级放大电路的输入端,所述第十二PMOS管的漏极连接所述第七MOS晶体管的漏极并作为所述第二级放大电路的输出端;所述第七MOS晶体管为NMOS管,所述第七MOS晶体管的源极接地;所述运算放大器还包括第二电流源、第三NMOS管,所述第二电流源输入到所述第三NMOS管的漏极,所述第三NMOS管的漏极和栅极连接所述第七MOS晶体管的栅极,所述第三NMOS管的源极接地,所述第七MOS晶体管为所述第三NMOS管的镜像路径并提供所述电流源负载;所述第三NMOS管的漏极和栅极通过第十三MOS晶体管连接所述第七MOS晶体管的栅极。
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