[发明专利]电容阵列有效

专利信息
申请号: 201610471343.5 申请日: 2016-06-23
公开(公告)号: CN106098800B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 廖望;高炜祺;雷郎成;刘虹宏;赵思源;苏晨;刘文喆 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: H01L29/92 分类号: H01L29/92;H01L27/02
代理公司: 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 代理人: 崔雷
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供一种电容阵列,包括多个并联的电容结构,该电容结构包括上极板和下极板,其中上极板包括主上极板和次上极板,主上极板与公共端连接,次上极板接地,且主上极板与下极板构成主电容,次上极板与下极板构成次电容,针对每个电容结构,其主上极板与次上极板的面积之和均等于单位电容的上极板面积,或者其主电容与次电容的电容值之和均等于单位电容值。本发明通过在SAR ADC的电容阵列中采用上述电容结构,可以解决SAR ADC在使用多个电容值大小不同的电容结构时存在的电容失配问题。
搜索关键词: 电容 结构 阵列
【主权项】:
1.一种电容阵列,其特征在于,包括多个并联的电容结构,每一电容结构包括上极板和下极板,其中所述上极板包括主上极板和次上极板,所述主上极板与输入信号连接,所述次上极板接地,且所述主上极板与所述下极板构成主电容,所述次上极板与所述下极板构成次电容;针对每个电容结构,其主上极板与次上极板的面积之和均等于单位电容的上极板面积,或者其主电容与次电容的电容值之和均等于单位电容值。
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