[发明专利]一种全球电离层格网模型的确定方法及装置在审

专利信息
申请号: 201610472301.3 申请日: 2016-06-24
公开(公告)号: CN106405589A 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 陈鹏 申请(专利权)人: 西安科技大学
主分类号: G01S19/37 分类号: G01S19/37
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223 代理人: 李振瑞
地址: 710054 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种全球电离层格网模型的确定方法及装置,属于全球导航系统及空间环境监测领域。用以解决现有各类电离层数据之间存在系统性偏差,将各类电离层数据不能进行简单的融合的问题。包括根据GNSS观测数据,通过公式(1)和(2)确定天顶方向的电离层VTEC1;根据海洋测高卫星的数据,采用公式(3)并结合平滑与重采样的方法,获取天顶方向的电离层VTEC2;根据DORIS的双频相位观测值,通过公式(4)确定STECbias,由GIM内插原理,DORIS的双频相位观测值和STECbias,确定修正后的STEC,根据修正后的STEC和定标方法,确定天顶方向的电离层VTEC3;根据球谐函数模型对电离层VTEC1、VTEC2和VTEC3进行拟合,确定基于多源数据融合的全球电离层格网模型。
搜索关键词: 一种 全球 电离层 模型 确定 方法 装置
【主权项】:
一种全球电离层格网模型的确定方法,其特征在于,包括:根据全球卫星导航系统GNSS观测数据,通过公式(1)和(2)确定天顶方向的电离层第一垂直方向的总电子含量VTEC1;根据海洋测高卫星的数据,采用公式(3)并结合平滑与重采样的方法,获取天顶方向的电离层第二垂直方向的总电子含量VTEC2;根据地基多普勒无线电定轨定位系统DORIS的双频相位观测值,通过公式(4)确定信号传播路径上的总电子含量STECbias,由初始全球电离层格网模型GIM内插原理,所述DORIS的双频相位观测值和所述STECbias确定修正后的STEC,根据所述修正后的STEC和定标方法,确定天顶方向的电离层第三垂直方向的总电子含量VTEC3;根据球谐函数模型对所述VTEC1、所述VTEC2和所述VTEC3进行拟合,确定基于多源数据融合的全球电离层格网模型;其中,公式(1)如下所示:STEC=f12f2240.3·(f12-f22)(P2-P1+Δbk+Δbs)]]>公式(2)如下所示:STEC=mf·VTEC1公式(3)如下所示:VTEC2=-dR·f240.3]]>公式(4)如下所示:上述公式中,STEC为信号传播路径上的总电子含量,P1、P2为两个频率上GNSS测码伪距观测值,f1、f2为载波的频率,Δbk、Δbs分别为接收机和卫星硬件延迟偏差,R为地球半径,H为单层电离层高度,z为卫星在跟踪站处的天顶距,mf为投影函数,dR为电离层对电磁波路径的影响值,STECbias为具有偏差的STEC,f为信号频率;λ1,λ2分别为地面信标站发射信号L1和L2的波长,为两个频率的DORIS的双频相位观测值。
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