[发明专利]一种慢光结构、吸光度检测方法及微流控芯片在审
| 申请号： | 201610472943.3 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106125175A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 周文超;吴一辉;余慕欣;刘永顺;迟明波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G01N21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种慢光结构、吸光度检测方法及微流控芯片，其中，慢光结构包括：基底；位于基底表面的波导层；位于波导层表面的缓冲层以及位于缓冲层表面的亚波长金属光栅。光线在通过亚波长金属光栅进入波导层时会由于导模共振原理产生慢光效应，从而降低光在波导层中的传播速度，提升了光线在波导层中的传播时间；在实际应用过程中，波导层为被测样品，光线在波导层中传播时间的增加意味着光线与被测样品的作用时间延长，因此利用慢光结构对被测样品进行检测的灵敏度较高。并且慢光结构可以通过选择亚波长金属光栅的材料、光栅周期以及缓冲层的厚度，选择可透过的波长，从而形成慢光结构的波长选择特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 光度 检测 方法 微流控 芯片 | ||
【主权项】：
一种慢光结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面的波导层；位于所述波导层表面的缓冲层；位于所述缓冲层表面的亚波长金属光栅。
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