[发明专利]一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机-无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法

摘要

一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法，涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法。本发明为了解决现有技术制备的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体生长质量差、生长条纹多和残余应力大的问题。制备方法：一、制备钙钛矿晶体的前体材料；二、制备目标籽晶；三、进行晶体静置生长；四、继续进行晶体静置生长；五、重复步骤四至得到目标尺寸的晶体。本发明制备方法可以提高有机‑无机杂化钙钛矿晶体的生长质量，减少生长条纹和残余应力；用于复合半导体微电子开关、发光器件以及光伏器件等光电功能器件的研制中。本发明适用于有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备。

主权项

1.一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法，其特征在于该制备方法按以下步骤进行：一、将二异丙胺和氢卤酸按摩尔比(1.2～1.4)：1混合，得到钙钛矿晶体的前体材料；所述氢卤酸为氢氯酸、氢溴酸或氢碘酸；所述前体材料为二异丙胺氯盐、二异丙胺溴盐或二异丙胺碘盐；所述氢溴酸的质量浓度为47％，氢碘酸的质量浓度为57％，氢氯酸的质量浓度为30％；二、将步骤一制得的前体材料烘干除杂，然后与金属卤化物按2:1的摩尔比混合后溶于溶剂中，得到生长液并静置，生长液中溶剂自然挥发至生长液变为饱和溶液时，小型颗粒状目标籽晶析出；三、将步骤二中获得的小型颗粒状目标籽晶干燥保存，将步骤一制得的前体材料烘干除杂，然后与金属卤化物按2:1的摩尔比混合后溶于溶剂中，制备浓度为3.0～4.5mol/L的生长液，控制生长液的温度为15～80℃，向生长液中加入干燥保存的籽晶，开始进行晶体静置生长；四、步骤三中晶体静置生长24小时后，分离出得到的晶体，然后制备与步骤三相同的生长液，将制备的生长液与分离出得到的晶体混合，继续进行晶体静置生长；五、重复步骤四至得到目标尺寸的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体。