[发明专利]一种半导体气体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610473182.3 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106198644A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张克栋;顾唯兵;王玲;崔铮 | 申请（专利权）人： | 苏州纳格光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法，其中，金属氧化物半导体气体传感器包括：加热芯片；信号电极，设置于所述加热芯片上，且所述信号电极与所述加热芯片绝缘；气体敏感层，设置于所述信号电极之间或覆盖所述信号电极，其中，所述气体敏感层与所述信号电极电性连接，且使信号电极之间电性连通；防潮层，设置于所述气体敏感层上。与现有技术相比，利用本发明的制备方法得到的半导体气体传感器工作温度低，灵敏度高、稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体气体传感器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：制取氢氧化镍或氧化镍；将氢氧化镍或氧化镍与金属氧化物进行掺杂，得到掺杂金属氧化物的氧化镍；提供一传感器加热芯片，将掺杂金属氧化物的氧化镍附着在传感器加热芯片上，以在传感器加热芯片上形成气体敏感层；将亲水性材料附着在气体敏感层上以形成防潮层，并进行退火处理，得到半导体气体传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州纳格光电科技有限公司，未经苏州纳格光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610473182.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
