[发明专利]一种碳炔薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201610473762.2 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106117521B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李玉良;贾志宇;刘辉彪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08G61/04 | 分类号： | C08G61/04;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳炔薄膜及其制备方法与应用。该碳炔薄膜为由式I所示化合物构成的碳炔薄膜。该薄膜是由式II所示化合物通过Glaser‑Hay偶联反应而得。本发明提供的制备碳炔薄膜的方法，工艺简便，能够在铜片或者铜薄膜层表面大面积制备碳炔薄膜，其电导率为1.4×10‑2S/m，该薄膜表面均匀，可在空气中稳定存在，采用核磁碳谱、原子力显微镜和拉曼光谱对碳炔化合物的结构组成进行了分析，确定了碳炔的构成。同时，对碳炔薄膜的导电性进行了测量，发现其是一种与接近金属性能的半导体，在催化、电子、半导体、能源和材料等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
式I所示聚合物，所述式I中，n为10‑100000。
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