[发明专利]一种形成栅极沟道的方法及对应的半导体结构

摘要

本发明涉及三维器件制作领域，尤其涉及一种形成栅极沟道的方法及对应的半导体结构，通过在堆栈结构中预埋对准标记，沉积硬掩模层并蚀刻使得该硬掩模层至少覆盖位于对准标记上方；然后沉积吸光膜，并蚀刻使得该吸光膜于对准标记上方具有一开口；接着进行对位测量，标记出栅极沟道对应于对准标记在硬掩模层上的待蚀刻标记；再根据该待蚀刻标记进行蚀刻以形成栅极沟道。本发明通过打开位于对准标记上方的吸光膜，使得在进行对位测量时入射光能够顺利穿透并反射，从而能够精准地量测出对准标记的位置，以保证沟道蚀刻时栅极图案的精确转移。

主权项

1.一种形成栅极沟道的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一预埋有对准标记的堆栈结构，沉积一硬掩模层覆盖所述堆栈结构的上表面；定义所述硬掩模层的形貌，以至少保留位于所述对准标记上方的部分所述硬掩模 层；于改变形貌后的硬掩模层的表面以及所述堆栈结构暴露的上表面沉积吸光膜；定义所述吸光膜的形貌，以打开位于所述对准标记上方的吸光膜，使改变形貌后的吸光膜于所述对准标记上方具有一开口；利用所述开口进行对位测量，以于所述改变形貌后的硬掩模层上测量出与所述对准标记垂直对应的待蚀刻标记；沉积光刻胶覆盖除所述待蚀刻标记以外的所述改变形貌后的硬掩模层的上表面以及所述改变形貌后的吸光膜的上表面，并以所述光刻胶为掩膜蚀刻所述改变形貌后的硬掩模层和所述堆栈结构以形成栅极沟道；蚀刻后的所述硬掩模层为切面角度；位于所述开口底部的所述吸光膜的厚度小于一预设厚度，且所述预设厚度为2000埃；定义所述硬掩模层的形貌的步骤包括：于所述硬掩模层之上沉积光刻胶并蚀刻以形成窗口掩膜，所述窗口掩膜覆盖位于所述对准标记上方，所述窗口掩膜的覆盖区域大于所述对准标记的区域；以所述窗口掩膜为掩膜蚀刻所述硬掩模层，以至少保留位于所述对准标记上方的部分所述硬掩模 层；其中，蚀刻所述硬掩模层停止于所述堆栈结构的顶层氧化层的上表面；定义所述吸光膜的形貌的步骤包括：于所述吸光膜之上沉积光刻胶并蚀刻，以使蚀刻后的光刻胶暴露位于所述对准标记上方的吸光膜；以所述蚀刻后的光刻胶为掩膜蚀刻所述吸光膜，以使改变形貌后的吸光膜于所述对准标记上方具有一开口，所述开口的区域面积大于所述对准标记的区域面积；其中，蚀刻所述吸光膜停止于所述改变形貌后的硬掩模层上表面。