[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法和显示面板在审
| 申请号： | 201610473904.5 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105870059A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杨维 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板GOA区域的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成所述薄膜晶体管的有源层；对所述有源层进行处理，提高所述有源层的载流子迁移率。本发明通过对GOA区域的薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率进行提高，以降低GOA区域的薄膜晶体管对有源层尺寸的要求，即在制作过程中，可以形成更小面积的有源层，进而降低了薄膜晶体管的整体体积，使GOA区域占用阵列基板的边框区域的面积也得减小，利于显示装置向窄边框趋势发展。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 相关 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种阵列基板GOA区域的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成所述薄膜晶体管的有源层；对所述有源层进行处理，提高所述有源层的载流子迁移率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
